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成膜加工:以丰富的经验和实绩来支援客户的各种薄膜成膜产品开发

社内无尘室(等级#1000)准备各种溅镀(Sputtering)机台,支援客户的实验制作开发、制造样品、批量生产。

机台
规格

特征

実績例

 3英寸阴极型
 (
CFS-4EP-LL1台/
  CFS-4ES-231
1)

 3英寸机台

电源

CFS-4EP-LL
RF:500W
DC:500Wx 2/
CFS-4ES-231
RF:500Wx2
随时准备丰富的靶材
(也可作为实验机使用)

溅镀前为清洁基板上的蚀刻也可

反应性
2元同时溅镀

可使用
O2N2气体的
反应性成膜

 对应处理基板

 玻璃
 树脂(polyimide)
 陶瓷
 FILM


 
成膜实绩例

 各种积体电路的电极膜
 透明电极膜
 反射膜
 装饰用表面涂层

 绝缘膜
 Barrier metal
 抵抗膜
 感应电体膜
 各种感应器关连
 耐磨耗性膜
 化合物半

 酸化
保护
 Amorphous Si膜


inline chamber
气体 Ar、N2、O2
加热
温度
270℃

 6英寸阴极型
 (SH-450-C10)

 6英寸机台
电源 RF:3KW
DC:5KW
主要为金属成膜专用机台使用

可把靶材固定顶尖而溅镀

备有高频道蚀刻清洁结构
气体 2系统
Mass flow
控制
Ar
用、
反应性气体
(O2
N2)
加热
温度
250℃

 8英寸阴极型
 
(CFS-12P-100)

 8英寸机台

电源 RF:4KW
DC:5KW
基板上的薄厚均等性良好

一次可放入的基板片数

φ50mm晶片:100
φ100mm晶片:30
φ150mm晶片:16
φ300mm晶片:4
100mm板:28
气体 Ar、N2、O2
加热
温度
200℃

 In line type
 (MLH-6315RD)


 In line type
电源 RF:3KW
DC:10KW
准备室/成膜室分离式

采用
Inter back方式
气体 2系统
Mass flow
控制
Ar
用、
反应性气体
(O2 N2)
加热
温度
200℃
(成膜前固定式加热方式
)





成膜作业的程序






客户咨询、
成膜 开发的支援













制作基板、靶材
(贴合加工)
或提供














准备
本公司采用
各种固定法

*
容易弯曲
固定用具
*专用用具
*
耐热性胶带固定
*SUS mask固定

成膜加工
 
(实验、本成膜)












出货










评估





与关联公司的共同合作,本公司以对应广泛的样品制作为目标。  

此外,本公司可对应Ion plating、真空蒸着、CVDPVD等成膜加工
及制造各种晶片、玻璃基板等。
 

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技术询问处:Techno Fine Co.,Ltd. 业务部/TEL: +81-44-986-7041FAX: +81-44-986-7042
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