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成膜加工:以豐富的經驗和實績來支援客戶的各種薄膜成膜產品開發

社內無塵室(等級#1000)準備各種濺鍍(Sputtering)機台,支援客戶的實驗製作開發、製造樣品、批量生產。
機台
規格

特徵

實績例

 3英吋陽極型
 (
CFS-4EP-LL1台/
  CFS-4ES-231
1)

 3英吋機台

電源

CFS-4EP-LL
RF:500W
DC:500Wx 2/
CFS-4ES-231
RF:500Wx2
随時準備豐富的靶材
(也可作爲實驗機使用)

濺鍍前爲清潔基板上的蝕刻也可

反應性
2元同時濺鍍

可使用
O2N2氣體的
反應性成膜

 對應處理基板

 玻璃
 樹脂(polyimide)
 陶瓷
 FILM


 
成膜實績例

 各種積體電路的電極膜
 透明電極膜
 反射膜
 裝飾用表面塗層

 絕緣膜
 Barrier metal
 抵抗膜
 感應電體膜
 各種感應器關聯
 耐磨耗性膜
 化合物半

 酸化
保護
 Amorphous Si


Inline Chamber
氣體 Ar、N2、O2
加熱
溫度
270℃

 6英吋陽極型
 (SH-450-C10)

 6英吋機台
電源 RF:3KW
DC:5KW
主要爲金屬成膜專用機台使用

可把靶材固定頂尖而濺鍍

備有高頻道蝕刻清潔結構
氣體 2系統
Mass flow
控製
Ar
用、
反應性氣體
(O2
N2)
加熱
溫度
250℃

 8英吋陽極型
 
(CFS-12P-100)

 8英吋機台

電源 RF:4KW
DC:5KW
基板上的薄厚均等性良好

一次可放入的基板片數

φ50mm晶片:100
φ100mm晶片:30
φ150mm晶片:16
φ300mm晶片:4
100mm板:28
氣體 Ar、N2、O2
加熱
溫度
200℃

 In line type
 (MLH-6315RD)


 In line type
電源 RF:3KW
DC:10KW
準備室/成膜室分離式

採用
Inter back方式
氣體 2系統
Mass flow
控製
Ar
用、
反應性氣體
(O2 N2)
加熱
溫度
200℃
(成膜前固定式加熱方式
)





成膜作業的程序






客户諮詢、
成膜開發的支援













製作基板、靶材
(貼合加工)
或提供














準備
本公司採用
各種固定法

*
容易彎曲
固定用具
*專用用具
*
耐熱性胶带固定
*SUS mask固定

成膜加工
 
(實驗、本成膜)












出貨










評估





與關聯公司的共同合作,本公司以對應廣泛的樣品製作爲目標。

此外,本公司可對應Ion plating、真空蒸著、CVDPVD等成膜加工
及製造各種晶片、玻璃基板等。
 

關於產品的內容及問題聯絡我們
技術詢問處Techno Fine Co.,Ltd.  業務部 / TEL+81-44-986-7041 / FAX:+81-44-986-7042
215-0033 神奈川縣川崎市麻生區栗2-6-1


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