装置

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仕様

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特徴

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実績例

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3インチカソード (CFS-4EP-LL:1台/ CFS-4ES-231:1台)



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電源

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CFS-4EP-LL
RF:500W
DC:500Wx 2/
CFS-4ES-231
RF:500Wx2
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豊富なターゲット材を 常時ストック
(実験機として使用も可)

基板逆スパッタ可能

反応性2元同時 スパッタリング

O2またはN2ガスによる リアクティブコートが 可能
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対応可能基板

ガラス
樹脂(含むポリイミド)
セラミック
フィルム等
成膜実績例

各種デバイスの電極膜
透明電極膜
反射膜
装飾用コーティング
絶縁膜
バリアメタル膜
抵抗膜
誘電体膜
各種センサー関係
耐磨耗性膜
化合物半導体への 酸化保護膜
アモルファスSi膜

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ガス
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Ar,N2,O2
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加熱
温度
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270℃
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6インチカソード (SH-450-C10)



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電源
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RF:3KW
DC:5KW
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主にメタル専用機 として使用

ターゲット直上固定 スパッタが可能

高周波エッチクリー ニング機構付
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ガス
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2系統 マスフロー制御
Ar専用、 反応性ガス用
(O2 又はN2)
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加熱
温度
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250℃
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8インチカソード (CFS-12P-100)



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電源
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RF:4KW
DC:5KW
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面内分布の均一性が良い

バッチあたりの基板 投入枚数

φ50ウエファ:100枚 φ100ウエファ:30枚
φ150ウエファ:16枚 φ300ウエファ:4枚
□100板:28枚
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ガス
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Ar,N2,O2
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加熱
温度
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200℃
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インライン (MLH-6315RD)



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電源
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RF:3KW
DC:10KW
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仕込み室/成膜室が セパレート

インターバック方式成膜
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ガス
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2系統 マスフロー制御
Ar専用、 反応性ガス用
(O2 又はN2)
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加熱
温度
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200℃
(成膜前固定式 加熱方式)
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