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株式会社テクノファイン
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薄膜成膜加工:豊富な経験と実績でお客様の各種薄膜成膜の製品開発をサポートしています。
社内クリーンルーム(クラス#1000)に各種スパッタリング装置を備えお客様の開発試作、サンプルから量産に至るまで対応いたします。

 装置

 仕様

 特徴

 実績例

 3インチカソード
(CFS-4EP-LL:1台/
 CFS-4ES-231:1台)


 3インチ装置

電源

CFS-4EP-LL
RF:500W
DC:500Wx 2/
CFS-4ES-231
RF:500Wx2
 豊富なターゲット材を
 常時ストック
(実験機として使用も可)

 基板逆スパッタ可能

 反応性2元同時
 スパッタリング

 O2またはN2ガスによる
 リアクティブコートが
 可能

 対応可能基板

 ガラス
 樹脂(含むポリイミド)
 セラミック
 フィルム等

 成膜実績例

 各種デバイスの電極膜
 透明電極膜
 反射膜
 装飾用コーティング

 絶縁膜
 バリアメタル膜
 抵抗膜
 誘電体膜
 各種センサー関係
 耐磨耗性膜
 化合物半導体への
 酸化保護膜
 アモルファスSi膜

 インライン チャンバ
ガス
Ar,N2,O2
加熱
温度
270℃

 6インチカソード
(SH-450-C10)


 6インチ装置

電源
RF:3KW
DC:5KW
 主にメタル専用機
 として使用

 ターゲット直上固定
 スパッタが可能

 高周波エッチクリー
 ニング機構付
ガス
2系統
マスフロー制御
Ar専用、
反応性ガス用
(O2 又はN2)
加熱
温度
250℃

 8インチカソード
(CFS-12P-100)


 8インチ装置

電源
RF:4KW
DC:5KW
 面内分布の均一性が良い

 バッチあたりの基板
 投入枚数

 φ50ウエファ:100枚
 φ100ウエファ:30枚
 φ150ウエファ:16枚
 φ300ウエファ:4枚
 □100板:28枚
ガス
Ar,N2,O2
加熱
温度
200℃

 インライン
(MLH-6315RD)


 インライン

電源
RF:3KW
DC:10KW
 仕込み室/成膜室が
 セパレート

 インターバック方式成膜
ガス
2系統
マスフロー制御
Ar専用、
反応性ガス用
(O2 又はN2)
加熱
温度
200℃
(成膜前固定式
加熱方式)





成膜フロー






お客様からの
ご相談
膜開発のアシスト













基板、
ターゲットの製作
ボンディング加工
含む)
またはご支給














ご準備
各種固定法対応
*フレキシブル固定品
*専用治具
*耐熱性テープ止め
*SUSマスク固定

成膜加工
(テスト、本成膜)












出荷










評価





協力会社との提携にて幅広い評価対応を目指しております。


更にイオンプレーティング、真空蒸着、CVD、PVD等の成膜加工
各種ウエファ、ガラス基板製作等も承ります。


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